Тази седмица Kioxia, японският производител, обяви, че е стартирала доставки на инженерни образци от 1 Тбит TLC памет, произведена в иновационна 332-слойна конфигурация въз основа на 10-то поколение технология BiCS Flash. Подобно на предишните поколения, новият продукт предлага значително увеличение на плътността на данните и производителността, като основното му приложение ще бъде в сървърни сториджи.
Наред с нововъведенията, паметта инкорпорира CBA и OPS технологии, предоставяйки пропускателна способност от 4,8 Гбит/с – с 33% по-висока от предшественика си. Увеличението на плътността на информацията в относителен план е 59% благодарение на 332-слойната схема.
Намалението на енергийното потребление по време на операции с четене е 30%, докато за запис намалението е 18%. В контекста на нарастващото значение на енергийната ефективност за центровете за данни, това е значим пробив.
Производството на иновативната 332-слойна памет ще се осъществява в новата фабрика на Kioxia, разположена в префектура Ивате, която бе открита през септември миналата година. Анонсът за наличието на новите паметни прототипи доведе до 8,9% ръст в акциите на компанията по време на сутрешната търговия в Токио. Докато компании като Samsung и SK hynix разширяват предлагането чрез DRAM и HBM, Kioxia фокусира дейността си само върху NAND памети, което е причина да се стреми към технологичен напредък и да следи търсенето на пазара.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
