Hangzhou Garen Semiconductor, китайска компания, анонсира откритие на пионерска производствена линия, която е в състояние да произвежда хомоепитаксиални пластини от галиев оксид с размери 6 и 8 инча. Първите партиди вече са доставени до производители на чипове. Това представлява значителен напредък в посока комерсиализиране на полупроводникови технологии от ново поколение, които надминават силиция по някои ключови характеристики.
Според проведените тестове, дебелината на епитаксиалния слой на 6-инчовите пластини е над 10 мкм, а отклонението в дебелината е под 1%. Тази равномерност е от съществено значение за производството на устройства, работещи при високи напрежения и честоти, осигурявайки висок процент на приемливи изделия.
Garen Semiconductor партнира с няколко китайски производители на чипове, а интерес към нейните иновации предизвикват и международни корпорации и изследователски организации.
Галиевият оксид е част от категорията на полупроводниците с изключително широк забранен диапазон (около 4,8–4,9 еВ), предоставяйки му значителни предимства в сравнение със силиция, силициевия карбид и галиевия нитрид. Устройствата, изградени с него, могат да издържат на високи напрежения и температури, което ги подготвя за силовата електроника от следващо поколение.
Технологиите, разработени за отглеждане на монокристали, позволяват получаването на свръхдебели кристали от галиев оксид и подобряват добива на свръхтънки подложки до три-четири пъти в сравнение с традиционните методи. Гарантирано е и намаляване на разходите за иридий, ценен и рядък метал, без който няма как да се произвеждат кристали. Това позволява да се снижи себестойността на пластините с над 80%.
На фона на факта, че в момента повечето предлагани на пазара пластини от галиев оксид са с размери между 2 и 4 инча, разработката на Garen Semiconductor е значима за стартиране на мащабно производство в сектора.
